Technik zur Herstellung eines verformten Transistors durch eine späte Amorphisierung und durch zu entfernende Abstandshalter

摘要

Durch Anwendung eines Ansatzes mit zu entfernendem Abstandselement zur Herstellung von Drain- und Source-Gebieten vor einem Amorphisierungsprozess zum Rekristallisieren eines Halbleitergebiets bei Anwesenheit einer verspannten Abstandshalterschicht, möglicherweise in Verbindung mit modernen Ausheizverfahren, etwa lasergestützten oder blitzlichtgestützten Ausheizprozessen, kann eine effizientere Erzeugung von Verformung bereitgestellt werden. Ferner kann der Abstandshalter zur Herstellung des Metallsilizids mit geringerer Breite vorgesehen werden, wodurch die Metallsilizidgebiete näher an dem Kanalgebiet angeordnet werden. Folglich kann insgesamt ein besseres Leistungsverhalten auf der Grundlage der oben beschriebenen Verfahren erreicht werden.