发明名称 薄膜晶体管阵列基板及其制造方法、修复方法
摘要 本发明公开了一种薄膜晶体管阵列基板及其制造方法、修复方法,该薄膜晶体管阵列基板包括多条沿第一方向延伸的栅极扫描线;多条沿第二方向延伸的数据线,栅极扫描线和数据线交叉形成像素区域;设置在像素区域内的薄膜晶体管和像素电极;其中所述栅极扫描线上或数据线下形成有金属图案,所述金属图案与数据线金属层图案、栅极扫描线金属层图案相互隔开;可以修复像素区间的数据线或栅极扫描线的断路情况,不增加现有阵列基板的制造工序,且修复简单方便。
申请公布号 CN101114655A 申请公布日期 2008.01.30
申请号 CN200710044636.6 申请日期 2007.08.07
申请人 上海广电光电子有限公司 发明人 田广彦
分类号 H01L27/12(2006.01);H01L23/525(2006.01);H01L21/84(2006.01);H01L21/768(2006.01);G02F1/1362(2006.01);G02F1/1343(2006.01);G02F1/1333(2006.01) 主分类号 H01L27/12(2006.01)
代理机构 上海申汇专利代理有限公司 代理人 白璧华
主权项 1.一种薄膜晶体管阵列基板,包括多条沿第一方向延伸的栅极扫描线;多条沿第二方向延伸的数据线,栅极扫描线和数据线交叉形成像素区域;设置在像素区域内的薄膜晶体管和像素电极;其特征在于所述栅极扫描线上或数据线下形成有金属图案,所述金属图案与数据线金属层图案、栅极扫描线金属层图案相互隔开。
地址 200233上海市徐汇区宜山路757号三楼