发明名称 | 一种金属硅原料提纯制备方法 | ||
摘要 | 一种金属硅原料提纯制备方法,其特征在于制备方法如下:首先对电弧炉、氩弧炉安装充氧装置和CO<SUB>2</SUB>排放收集装置,其次是在原有金属硅熔炼工艺掺炭量的基数基础上,再添加20%的高纯炭,在电弧炉、氩弧炉达到工艺熔炼保持恒温温度(摄氏1650度)时,进行充氧加速炭的燃烧生成CO<SUB>2</SUB>。其优点是:充分利用传统工艺设备如电弧炉、氩弧炉进行小改造,就能达到在大规模量产的同时,大幅度提高金属硅纯度;其工艺步骤少,操作简单。 | ||
申请公布号 | CN101112988A | 申请公布日期 | 2008.01.30 |
申请号 | CN200710201160.2 | 申请日期 | 2007.07.24 |
申请人 | 晶湛(南昌)科技有限公司 | 发明人 | 罗应明;郭力 |
分类号 | C01B33/037(2006.01) | 主分类号 | C01B33/037(2006.01) |
代理机构 | 南昌洪达专利事务所 | 代理人 | 刘凌峰 |
主权项 | 1.一种金属硅原料提纯制备方法,其特征在于制备方法如下:首先对电弧炉、氩弧炉安装充氧装置和CO2排放收集装置,其次是在现有的金属硅熔炼工艺掺炭量的基数基础上,再添加20%的高纯炭,在电弧炉、氩弧炉达到工艺熔炼保持恒温温度时,进行充氧加速炭的燃烧生成CO2,通过CO2排放收集装置排出炉外,再用传统的抬包浇灌工艺对金属硅实行自然冷却排除硅渣杂质,即可获得纯度达99.995%的金属硅。 | ||
地址 | 330013江西省南昌市经济技术开发区黄家湖西路 |