发明名称 一种金属硅原料提纯制备方法
摘要 一种金属硅原料提纯制备方法,其特征在于制备方法如下:首先对电弧炉、氩弧炉安装充氧装置和CO<SUB>2</SUB>排放收集装置,其次是在原有金属硅熔炼工艺掺炭量的基数基础上,再添加20%的高纯炭,在电弧炉、氩弧炉达到工艺熔炼保持恒温温度(摄氏1650度)时,进行充氧加速炭的燃烧生成CO<SUB>2</SUB>。其优点是:充分利用传统工艺设备如电弧炉、氩弧炉进行小改造,就能达到在大规模量产的同时,大幅度提高金属硅纯度;其工艺步骤少,操作简单。
申请公布号 CN101112988A 申请公布日期 2008.01.30
申请号 CN200710201160.2 申请日期 2007.07.24
申请人 晶湛(南昌)科技有限公司 发明人 罗应明;郭力
分类号 C01B33/037(2006.01) 主分类号 C01B33/037(2006.01)
代理机构 南昌洪达专利事务所 代理人 刘凌峰
主权项 1.一种金属硅原料提纯制备方法,其特征在于制备方法如下:首先对电弧炉、氩弧炉安装充氧装置和CO2排放收集装置,其次是在现有的金属硅熔炼工艺掺炭量的基数基础上,再添加20%的高纯炭,在电弧炉、氩弧炉达到工艺熔炼保持恒温温度时,进行充氧加速炭的燃烧生成CO2,通过CO2排放收集装置排出炉外,再用传统的抬包浇灌工艺对金属硅实行自然冷却排除硅渣杂质,即可获得纯度达99.995%的金属硅。
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