| 发明名称 | 金属刻蚀缺陷侦测装置及其侦测方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种金属刻蚀缺陷侦测装置及其侦测方法，它整合了光谱装置、记录装置及处理装置，兼具侦测、记录、运算能力的装置；本发明金属刻蚀缺陷侦测方法，其撷取金属刻蚀缺陷结构的光激发光谱信息，并将光谱信息予以储存，最后运算光谱信息输出可供分析的图表，当中可适当引入磁场周期参数，可整合应用于强化光激发光谱的分析技术，达到快速测定金属刻蚀缺陷，并可与磁场周期同步。 | ||
| 申请公布号 | CN101114602A | 申请公布日期 | 2008.01.30 |
| 申请号 | CN200610029464.0 | 申请日期 | 2006.07.27 |
| 申请人 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 宓守刚;罗来青 |
| 分类号 | H01L21/66(2006.01);G01R31/308(2006.01);G01N21/956(2006.01) | 主分类号 | H01L21/66(2006.01) |
| 代理机构 | 上海光华专利事务所 | 代理人 | 余明伟 |
| 主权项 | 1.一种金属刻蚀缺陷侦测装置，该侦测装置可应用于腔室刻蚀工艺，其特征在于包括：一光譜裝置，用于测量并分类一光激发光谱的特性波长、能量大小及能量级；一记录装置，其连结于该光谱装置，用于记录该光谱装置输出的数据；以及一处理装置，其连结于该记录装置，用于处理并运算该记录装置记录的数据。 | ||
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江高科技园区郭守敬路818号 | ||