| 发明名称 | 一种抑制过共晶铝硅合金硅宏观偏析的合金化方法 | ||
| 摘要 | 一种抑制过共晶铝硅合金硅宏观偏析的合金化方法，在过共晶铝硅合金熔体中添加Cr元素，添加量为熔体总重量的0.8％－1.5％，添加Cr元素的熔体温度为750℃－770℃，Cr元素以Cr剂或以Al－Cr中间合金形式添加到熔体中。本发明方法简单，操作方便，易于掌握，效果明显；与快凝技术相比较，合金化方法成本低；合金化方法易于工业化生产。 | ||
| 申请公布号 | CN101109046A | 申请公布日期 | 2008.01.23 |
| 申请号 | CN200710012486.0 | 申请日期 | 2007.08.17 |
| 申请人 | 东北大学 | 发明人 | 秦克;崔建忠 |
| 分类号 | C22C1/02(2006.01);C22C1/03(2006.01);C22C21/02(2006.01) | 主分类号 | C22C1/02(2006.01) |
| 代理机构 | 沈阳东大专利代理有限公司 | 代理人 | 梁焱 |
| 主权项 | 1.一种抑制过共晶铝硅合金硅宏观偏析的合金化方法，其特征在于包括以下步骤：1)按照常规方法熔炼过共晶铝硅合金；2)在熔体温度为750℃-770℃时，向熔体中添加熔体总重量的0.8％-1.5％的Cr元素，Cr元素以Cr剂或以Al-Cr中间合金形式添加到熔体中；3)添加合金元素后，使熔体温度保持在740℃-770℃，向熔体中充入六氯乙烷或氩气，对合金熔液进行除气处理；4)铸造。 | ||
| 地址 | 110004辽宁省沈阳市和平区文化路3号巷11号 | ||