| 摘要 |
Die Erfindung betrifft einen integrierten Halbleiterchip, der auf einem gemeinsamen Substrat mindestens einen Leistungshalbleiterschaltungsbereich (11-15) und, dem Leistungshalbleiterschaltungsbereich lateral benachbart, mindestens einen weiteren temperaturempfindlichen Halbleiterschaltungsbereich aufweist, wobei zwischen den Schaltungsbereichen Zwischenräume (Z1-Z4) eingehalten sind, dadurch gekennzeichnet, dass wenigstens in jedem Zwischenraum jeweils zwischen Leistungshalbleiterschaltungsbereich(en) und temperaturempfindlichen Halbleiterschaltungsbereich(en) mindestens ein Wärmeisoliergraben (WIG1, WIG3) vorgesehen ist, der sich in die Tiefe des Chips bis in das Substrat (SUB) und in Längsrichtung des Chips mindestens über eine laterale Seite des mindestens einen Leistungshalbleiterschaltungsbereichs (11-15) und/oder des temperaturempfindlichen Halbleiterschaltungsbereichs (21-23) erstreckt und der entweder ungefüllt oder mit einem wärmeisolierenden Füllmaterial gefüllt ist. |
