超浅接合结构中决定电活性掺质密度分布方法

摘要

在一种决定半导体晶圆或样品具所欲电活性掺质密度的方法中，决定在相邻于其顶部的第一点伴随形成晶圆或样品的半导体材料的最小及最大电容及决定在相邻于其斜面的第二点伴随形成晶圆或样品的半导体材料的最小及最大电容，斜面系由移除其上方的一部分顶部定义。以在每一点所决定的最小及最大电容及在该每一点所在位置于顶部表面或距顶部表面的深度的函数决定半导体晶圆或样品的电活性掺质密度。