| 发明名称 |
Procédé d'obtention d'un dispositif semi-conducteur comportant au moins une jonction du type p-n |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
FR1228852(A) |
申请公布日期 |
1960.09.02 |
| 申请号 |
FR19590785697 |
申请日期 |
1959.02.03 |
| 申请人 |
SIEMENS-SCHUCKERTWERKE AKTIENGESELLSCHAFT |
发明人 |
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| 分类号 |
C22C1/02;C22C5/02;H01L21/00 |
主分类号 |
C22C1/02 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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