形成矽装置之方法及半导体材料

摘要

本发明系有关一种用于绝缘层上有矽之晶圆制造之方法及材料，其中在承载晶圆中之掺杂浓度系充分高，以阻止在接合至该承载晶圆期间或之后掺质自该接合晶圆扩散。