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发明名称
具有高热传导性之半导体晶圆
摘要
本发明一般关于一种磊晶矽半导体晶圆,其具有提升之热传导性以将热从一装置层转移开,同时亦对常见的故障机制具有抵抗性,例如栓锁故障与辐射事件故障。该半导体晶圆包含一轻度掺杂装置层、一高度掺杂保护层、与一轻度掺杂基板。本发明亦针对一种用于形成此种磊晶矽晶圆的程序。
申请公布号
TW200801261
申请公布日期
2008.01.01
申请号
TW096103543
申请日期
2007.01.31
申请人
MEMC电子材料公司
发明人
麦可R 希奎斯特
分类号
C30B29/06(2006.01)
主分类号
C30B29/06(2006.01)
代理机构
代理人
陈长文
主权项
地址
美国
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