发明名称 具有高热传导性之半导体晶圆
摘要 本发明一般关于一种磊晶矽半导体晶圆,其具有提升之热传导性以将热从一装置层转移开,同时亦对常见的故障机制具有抵抗性,例如栓锁故障与辐射事件故障。该半导体晶圆包含一轻度掺杂装置层、一高度掺杂保护层、与一轻度掺杂基板。本发明亦针对一种用于形成此种磊晶矽晶圆的程序。
申请公布号 TW200801261 申请公布日期 2008.01.01
申请号 TW096103543 申请日期 2007.01.31
申请人 MEMC电子材料公司 发明人 麦可R 希奎斯特
分类号 C30B29/06(2006.01) 主分类号 C30B29/06(2006.01)
代理机构 代理人 陈长文
主权项
地址 美国