相变记忆体再新技术

摘要

一种相变记忆体，其可以被采用以在处理器为主的系统中代替动态随机存取记忆体。于一些实施列中，被使用于相变记忆体中之硫属化和物材料，具有相对高的晶体化速率，因而其可以快速地被规划。具有高晶体化速率以及对应之不良资料保持性的材料可以被选择。该不良资料保持性可藉由提供一再新周期而被补偿。