| 发明名称 | 前向体偏置控制的半导体集成电路 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体集成电路，在第一功能块中，PMOS晶体管的源电压输入端子和NMOS晶体管的衬底电压输入端子分别与其电源端子连接。第i(1≤i≤n－1)功能块中的该PMOS晶体管的衬底电压输入端子和其中的NMOS晶体管的源电压输入端子与第(i+1)功能块中的PMOS晶体管的源电压输入端子和包括在其中的NMOS晶体管的衬底电压输入端子双极连接。在该第n功能块中，PMOS晶体管的衬底电压输入端子和NMOS晶体管的源电压输入端子分别与其电源端子连接。 | ||
| 申请公布号 | CN101093833A | 申请公布日期 | 2007.12.26 |
| 申请号 | CN200710109460.8 | 申请日期 | 2007.06.21 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 炭田昌哉 |
| 分类号 | H01L27/092(2006.01);H01L23/522(2006.01) | 主分类号 | H01L27/092(2006.01) |
| 代理机构 | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人 | 徐金国;梁挥 |
| 主权项 | 1、一种包括第一到第n功能块的半导体集成电路，其特征在于：包括在该第一功能块中的第一传导类型的绝缘栅场效应晶体管的源电压输入端子和包括在其中的第二传导类型的绝缘栅场效应晶体管的衬底电压输入端子分别与第一和第二电源端子连接；包括在第i(1≤i≤n-1)功能块中的该第一传导类型的绝缘栅场效应晶体管的衬底电压输入端子和包括在其中的该第二传导类型的绝缘栅场效应晶体管的源电压输入端子与包括在该第(i+1)功能块中的该第一传导类型的绝缘栅场效应晶体管的源电压输入端子和包括在其中的该第二传导类型的绝缘栅场效应晶体管的衬底电压输入端子双极连接；以及包括在该第n功能块中的该第一传导类型的绝缘栅场效应晶体管的衬底电压输入端子和包括在其中的该第二传导类型的绝缘栅场效应晶体管的源电压输入端子分别与第三和第四电源端子连接。 | ||
| 地址 | 日本大阪 | ||