| 发明名称 | 砷化镓/空气型可调谐滤波器及制作方法 | ||
| 摘要 | 一种砷化镓/空气型可调谐滤波器，其特征在于，包括：一衬底，该衬底为砷化镓衬底；一缓冲层，该缓冲层制作在衬底上；一下分布布拉格反射镜，该下布拉格反射镜制作在缓冲层上，是滤波器的下反射镜；一空气腔，该空气腔制作在下布拉格反射镜上，用于可调谐；一上分布布拉格反射镜，该上分布布拉格反射镜制作在空气腔上，是滤波器的上反射镜；一p电极，该p电极制作在上分布布拉格反射镜的上面；一n电极，该电极制作在n型砷化镓衬底的下面。 | ||
| 申请公布号 | CN101093265A | 申请公布日期 | 2007.12.26 |
| 申请号 | CN200610089348.8 | 申请日期 | 2006.06.21 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 吴旭明;王小东;谭满清 |
| 分类号 | G02B6/34(2006.01);G02F1/21(2006.01);G02F1/225(2006.01) | 主分类号 | G02B6/34(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汤保平 |
| 主权项 | 1.一种砷化镓/空气型可调谐滤波器，其特征在于，包括：一衬底，该衬底为砷化镓衬底；一缓冲层，该缓冲层制作在衬底上；一下分布布拉格反射镜，该下布拉格反射镜制作在缓冲层上，是滤波器的下反射镜；一空气腔，该空气腔制作在下布拉格反射镜上，用于可调谐；一上分布布拉格反射镜，该上分布布拉格反射镜制作在空气腔上，是滤波器的上反射镜；一p电极，该p电极制作在上分布布拉格反射镜的上面；一n电极，该电极制作在n型砷化镓衬底的下面。 | ||
| 地址 | 100083北京市海淀区清华东路甲35号 | ||