高分子薄膜场发射阴极材料及其制备方法与装置

摘要

本发明提供一种高分子薄膜场发射阴极材料的制备方法，包括下述步骤：利用电场放电工艺处理高分子薄膜表面；所述电场放电工艺是将高分子薄膜作为场发射阴极，其表面经过低真空放电处理，利用真空腔中电离的正离子轰击高分子薄膜表面，使其表面产生不平；一种实现上述方法的装置，包括阴极、阳极、阴阳电极间隔离柱，所述阴阳电极间隔离柱位于阴极与阳极之间；所述阴极包括用真空放电处理过的高分子薄膜和阴极基板，高分子薄膜位于阴极基板与阳极相对的表面，所述阳极表面涂有荧光粉。本发明具有工艺简单、操作方便、应用效果好、生产成本低、适用面广的优点，可成为制备薄膜型场发射阴极非常具有应用潜力的技术。

主权项

1、一种高分子薄膜场发射阴极材料的制备方法，其特征在于包括下述步骤：利用电场放电工艺处理高分子薄膜表面；具体是将高分子薄膜作为场发射阴极，其表面经过低真空放电处理，利用真空腔中电离的正离子轰击高分子薄膜表面，使其表面产生不平。