| 主权项 |
1.一种面光源装置,其包括: 一导光板,系用以引导光源发出之光束,该导光板 包括至少一光入射面及一光出射面; 至少一发光二极体,系用以作为光源发出光束且相 对该导光板光入射面设置,该发光二极体包括一基 板、一发光晶片及一封装材料,该封装材料包覆该 发光晶片并形成一出光面; 其中,该封装材料里面掺杂有复数萤光微颗粒,用 于散射发光晶片发出之光束并提高出光辉度,该萤 光微颗粒之尺寸大小系自与发光晶片正对之顶部 向四周逐渐增大设置。 2.如申请专利范围第1项所述之面光源装置,其中该 导光板之光入射面系与光出射面相交,且该导光板 进一步包括一与该光出射面相对之底面。 3.如申请专利范围第2项所述之面光源装置,其中该 底面设置复数规则分布之网点。 4.如申请专利范围第2项所述之面光源装置,其中该 底面设置复数规则分布之V形槽。 5.如申请专利范围第2项所述之面光源装置,其中该 底面镀有反射膜。 6.如申请专利范围第1项所述之面光源装置,其中该 导光板之光入射面系与光出射面相对。 7.如申请专利范围第1项所述之面光源装置,其中该 光出射面系雾化表面。 8.如申请专利范围第1项所述之面光源装置,其中该 光入射面镀有增透膜。 9.如申请专利范围第1项所述之面光源装置,其中该 光入射面设有萤光层。 10.如申请专利范围第1项所述之面光源装置,其中 该萤光微颗粒系绿光萤光材料。 11.如申请专利范围第10项所述之面光源装置,其中 该萤光微颗粒系异硫氰酸萤光素绿光萤光材料。 12.如申请专利范围第1项所述之面光源装置,其中 该萤光微颗粒系红光萤光材料。 13.如申请专利范围第12项所述之面光源装置,其中 该萤光微颗粒系尼罗河蓝A红光萤光材料。 14.如申请专利范围第1项所述之面光源装置,其中 该萤光微颗粒系黄光萤光材料。 15.如申请专利范围第14项所述之面光源装置,其中 该萤光微颗粒系玫瑰精B黄光萤光材料。 16.如申请专利范围第1项所述之面光源装置,其中 该萤光微颗粒系蓝光萤光材料。 17.如申请专利范围第16项所述之面光源装置,其中 该萤光微颗粒系硷土金属矽酸盐蓝光萤光材料。 18.如申请专利范围第1项所述之面光源装置,其中 该萤光微颗粒系异硫氰酸萤光素绿光萤光材料、 尼罗河蓝A红光萤光材料与玫瑰精B黄光萤光材料 之混合体。 19.如申请专利范围第1项所述之面光源装置,其中 该萤光微颗粒系黄光萤光材料与蓝光萤光材料之 混合体。 20.如申请专利范围第1项所述之面光源装置,其中 该萤光微颗粒之直径大小系大于等于1m且小于 等于10m。 21.如申请专利范围第1项所述之面光源装置,其中 该萤光微颗粒系均匀分布于该封装材料内。 22.如申请专利范围第1项所述之面光源装置,其中 该萤光微颗粒系分布于靠近封装材料之出光面位 置。 23.如申请专利范围第1项所述之面光源装置,其中 该萤光微颗粒之分布密度系自与发光晶片正对之 顶部向四周逐渐增大设置。 24.一种发光二极体,其包括: 一基板; 一发光晶片,固定在该基板上; 一封装材料,包覆该发光晶片并形成一出光面; 其中,该封装材料里面掺杂有萤光微颗粒,用于散 射发光晶片发出之光束并提高出光辉度,该萤光微 颗粒之尺寸大小系自与发光晶片正对之顶部向四 周逐渐增大设置。 25.如申请专利范围第24项所述之发光二极体,其中 该萤光微颗粒系绿光萤光材料。 26.如申请专利范围第25项所述之发光二极体,其中 该萤光微颗粒系异硫氰酸萤光素绿光萤光材料。 27.如申请专利范围第24项所述之发光二极体,其中 该萤光微颗粒系红光萤光材料。 28.如申请专利范围第27项所述之发光二极体,其中 该萤光微颗粒系尼罗河蓝A红光萤光材料。 29.如申请专利范围第24项所述之发光二极体,其中 该萤光微颗粒系黄光萤光材料。 30.如申请专利范围第29项所述之发光二极体,其中 该萤光微颗粒系玫瑰精B黄光萤光材料。 31.如申请专利范围第24项所述之发光二极体,其中 该萤光微颗粒系蓝光萤光材料。 32.如申请专利范围第31项所述之发光二极体,其中 该萤光微颗粒系硷土金属矽酸盐蓝光萤光材料。 33.如申请专利范围第24项所述之发光二极体,其中 该萤光微颗粒系异硫氰酸萤光素绿光萤光材料、 尼罗河蓝A红光萤光材料与玫瑰精B黄光萤光材料 之混合体。 34.如申请专利范围第24项所述之发光二极体,其中 该萤光微颗粒系黄光萤光材料与蓝光萤光材料之 混合体。 35.如申请专利范围第24项所述之发光二极体,其中 该萤光微颗粒之直径大小系大于等于1m且小于 等于10m。 36.如申请专利范围第24项所述之发光二极体,其中 该萤光微颗粒系均匀分布于该封装材料内。 37.如申请专利范围第24项所述之发光二极体,其中 该萤光微颗粒系分布于靠近封装材料之出光面位 置。 38.如申请专利范围第24项所述之发光二极体,其中 该萤光微颗粒之分布密度系自与发光晶片正对之 顶部向四周逐渐增大设置。 图式简单说明: 第一图系先前技术发光二极体之结构示意图。 第二图系先前技术面光源装置之光路示意图。 第三图系本发明面光源装置之平面示意图。 第四图系本发明发光二极体之结构示意图。 第五图系本发明发光二极体之部分光路图。 第六图系本发明发光二极体之又一结构示意图。 |
