| 发明名称 | 磁记录介质、其制造方法以及磁记录/再现设备 | ||
| 摘要 | 通过在不恶化其电磁变换特性的情况下，容易地图形化磁记录层，通过在磁记录层(2)与光致抗蚀剂(3)之间形成基于硅的保护膜以及通过进行干蚀刻和氧等离子处理，获得磁记录介质。 | ||
| 申请公布号 | CN100356450C | 申请公布日期 | 2007.12.19 |
| 申请号 | CN200510074222.9 | 申请日期 | 2005.05.31 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 山本尚之;樱井正敏;镰田芳幸 |
| 分类号 | G11B5/66(2006.01);G11B5/72(2006.01);G11B5/84(2006.01) | 主分类号 | G11B5/66(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 康建忠 |
| 主权项 | 1、一种磁记录介质，其特征在于包括：非磁性衬底；磁记录层，形成在非磁性衬底上，而且被图形化为轨道形或者点形；基于硅的保护层，形成在磁记录层的轨道或者点的与非磁性衬底相反一侧的上表面上；以及基于碳的保护层，形成在磁记录层的轨道或者点的侧表面和基于硅的保护层的表面上。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||