| 发明名称 | 氮化物半导体自支撑衬底和氮化物半导体发光元件 | ||
| 摘要 | 本发明提供了在形成了发光器件结构时可以减小发光波长、发光输出、元件寿命的偏差、提高发光器件成品率的氮化物半导体自支撑衬底和使用该衬底的氮化物半导体发光元件。形成的氮化物半导体自支撑衬底的晶格常数的偏差为±12ppm以下，使用该氮化物半导体自支撑衬底形成氮化物半导体发光元件。 | ||
| 申请公布号 | CN101090096A | 申请公布日期 | 2007.12.19 |
| 申请号 | CN200710096319.9 | 申请日期 | 2007.04.10 |
| 申请人 | 日立电线株式会社 | 发明人 | 吉田丈洋 |
| 分类号 | H01L23/00(2006.01);H01L33/00(2006.01);C30B29/38(2006.01);C30B29/40(2006.01) | 主分类号 | H01L23/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京银龙知识产权代理有限公司 | 代理人 | 葛松生 |
| 主权项 | 1.氮化物半导体自支撑衬底，其特征是，由晶格常数的偏差为±12ppm以下的自支撑的氮化物系化合物半导体晶体构成。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||