发明名称 半导体装置之制造方法
摘要 本发明系提供一种提高利用有机半导体层之半导体装置之电气特性之半导体装置之制造方法。半导体装置之制造方法的特征在于包含:第1步骤,其系在具有拨水性之压印基板30之拨水面30a上涂布有机半导体材料含有液者;第2步骤,其系藉由使涂布于拨水面30a上之有机半导体材料含有液乾燥,以接触拨水面30a之状态将有机半导体材料结晶化而形成有机半导体层20者;第3步骤,其系对形成于压印基板30上之有机半导体层20进行热处理者;及第4步骤,其系藉由将压印基板30之热处理后之有机半导体层20之形成面侧压向被转印基板10之表面13a,而向被转印基板10之表面13a上转印有机半导体层20者。
申请公布号 TW200746434 申请公布日期 2007.12.16
申请号 TW095149277 申请日期 2006.12.27
申请人 新力股份有限公司 发明人 野元章裕
分类号 H01L29/786(2006.01);H01L51/00(2006.01) 主分类号 H01L29/786(2006.01)
代理机构 代理人 陈长文
主权项
地址 日本