| 摘要 |
本发明揭示一种用于半导体装置的结构与方法。装置(20)包含填充着高掺杂多晶半导体的复数条沟渠(58)，从表面延伸至该装置的主体之中，其特点如下：(i)减少基板电流注入，(ii)降低启动电阻值，及/或(iii)降低基板的热阻抗。对绝缘LDMOS装置来说，可降低横向绝缘护壁(32)(其会被连接至该源极)与该埋植层(24)之间的电阻值，从而降低基板注入电流。当放置在一横向装置的汲极中或一垂直装置的集极中，该多晶填充沟渠可有效地放大汲极区或集极区，从而降低启动电阻值。对形成于氧化物绝缘层之上的装置来说，该多晶填充沟渠希望渗入此绝缘层之中，从而改良该等主动区至该基板的导热效果。该等多晶填充沟渠适合利用蚀刻与再填充来形成。本发明还可达到节省大量面积的目的。 |
