| 摘要 |
Die Erfindung betrifft ein Leistungshalbleiterbauelement (1) mit Ladungskompensationsstruktur und ein Verfahren zur Herstellung desselben. Das Leistungshalbleiterbauelement (1) weist in einem Halbleiterkörper (5) eine Driftstrecke (6) zwischen einer Bodyzone (7) und einem Substratbereich (8) auf. Die Driftstrecke (6) ist in Driftzonen (9) eines ersten Leitungstyps (n), die einen Strompfad (10) der Driftstrecke (6) zwischen der Bodyzone (7) mit einem Leitungstyp (p) komplementär zum ersten Leitungstyp (n) und dem Substratbereich (8) mit erstem Leitungstyp (n) bereitstellen, und in Ladungskompensationszonen (4) mit komplementärem Leitungstyp (p), die den Strompfad (10) der Driftstrecke (6) einengen, aufgeteilt. Dabei weist das Leistungshalbleiterbauelement (1) eine Feldstoppzone (11) mit erstem Leitungstyp (n) auf, die auf dem Substratbereich (8) angeordnet ist, wobei die Nettodotierstoffkonzentration (N<SUB>F</SUB>) der Feldstoppzone (11) niedriger als die des Substratbereichs (8) und höher als die der Driftzonen (9) ist.
|
