制作双镶嵌结构以及清除其残余聚合物的方法

摘要

本发明提供制作双镶嵌结构以及清除其残留聚合物的方法，以解决现有在制作双镶嵌结构时以湿式清洗方式无法有效清除残留聚合物的问题。该方法在蚀刻双镶嵌结构的部分通孔后，先去除定义该通孔的光致抗蚀剂层，再继续蚀刻通孔至暴露出下层导电层，随即于同一反应室中进行一干式清洗工艺，以清除在蚀刻时产生的残余聚合物。

主权项

1.一种制作一双镶嵌结构的方法，该方法包含有：提供一衬底，其上包含有一导电层；于该衬底上依序形成一介电层、一硬掩模层、一第一抗反射底层以及一第一光致抗蚀剂层，该第一光致抗蚀剂层具有一沟渠开口暴露出部份该第一抗反射底层；进行一第一蚀刻工艺，透过该沟渠开口蚀刻该第一抗反射底层以及该硬掩模层，以于该硬掩模层中蚀刻出一沟渠凹陷；去除该第一光致抗蚀剂层以及该第一抗反射底层；于该硬掩模层上依序形成一第二抗反射底层以及一第二光致抗蚀剂层，其中该第二抗反射底层填入该沟渠凹陷中，且该第二光致抗蚀剂层具有一通孔开口暴露出部份该第二抗反射底层；进行一第二蚀刻工艺，透过该通孔开口蚀穿该第二抗反射底层、该硬掩模层以及蚀刻部份该介电层，以于该介电层中蚀刻一通孔凹陷；去除该第二光致抗蚀剂层以及该第二抗反射底层；进行一第三蚀刻工艺，经由该通孔凹陷以及该沟渠凹陷蚀刻该介电层，直至暴露出该导电层，形成一双镶嵌结构；以及进行一干式清洗工艺，去除上述步骤所产生的残留聚合物，其中该第三蚀刻工艺以及该干式清洗工艺于同一反应室中连续完成。