| 发明名称 | 中频频率基准源 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种用于集成电路中的中频频率基准源。传统的频率基准源由于采用无温度系数的带隙基准源提供基准电压，而环状振荡器一般都具有负温度系数，因此，传统的频率源存在着基准频率变化较大的问题。本发明的目的在于提供一种具有温度补偿的中频频率基准源。其中频频率基准源包括：基准电压源，用于输出基准电压，其具有正温度系数；环形振荡器，与所述基准电压源相连，接收所述基准电压源输出的基准电压，产生振荡信号，所述环形振荡器具有负温度系数。 | ||
| 申请公布号 | CN100353661C | 申请公布日期 | 2007.12.05 |
| 申请号 | CN02137769.3 | 申请日期 | 2002.10.31 |
| 申请人 | 上海华虹集成电路有限责任公司 | 发明人 | 任建军 |
| 分类号 | H03B5/04(2006.01) | 主分类号 | H03B5/04(2006.01) |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 陈亮 |
| 主权项 | 1、一种中频频率基准源，包括：基准电压源，用于输出基准电压，其具有正温度系数；环形振荡器，与所述基准电压源相连，接收所述基准电压源输出的基准电压，产生振荡信号，所述环形振荡器具有负温度系数；所述基准电压源包括一个电流源电路和一个偏置电路；所述电流源电路包括四个MOS管和一个电阻器(R40)；所述四个MOS管中其中两个为PMOS管(P40和P41)，另两个为NMOS管(N40和N41)；所述两个PMOS管(P40和P41)的栅极相连；所述两个NMOS管(N40和N41)的栅极相连；所述两个PMOS管中的一个PMOS管(P40)的漏极与所述两个NMOS中的一个NMOS管(N40)的漏极相连，所述两个PMOS管中的另一个PMOS管(P41)的漏极与所述两个NMOS管中的另一个NMOS管(N41)的漏极相连；所述两个PMOS管(P40和P41)的源极与电源Vdd相连，所述两个NMOS管中的一个NMOS管(N40)的源极接地；所述两个NMOS中的另一个NMOS管(N41)的源极通过一电阻器(R40)接地。 | ||
| 地址 | 200233上海市宜山路800号 | ||