有机电激发光的非晶硅薄膜电晶体的制造方法

摘要

一种有机电激发光的非晶硅薄膜电晶体的制造方法。为提供一种制程简单、速度快、适用性强、蚀刻均匀、改善电性表现的半导体元件制造方法，提出本发明，它包括于玻璃基板上制作闸极；于玻璃基板上制作第一隔离层，且同时覆盖闸极；于第一隔离层上依序制作非晶硅层及重掺杂非晶硅层以定义出薄膜电晶体的主动区域；于第一隔离层制作金属层，且覆盖重掺杂非晶硅层；于金属层上表面制作第二阻障层；于第二阻障层上制作光阻层，光阻层具有位于闸极的正上方的窗口；干蚀刻去除窗口内的第二阻障层；湿蚀刻依序去除位于窗口内的金属层；干蚀刻去除窗口内裸露的重掺杂非晶硅层，以形成薄膜电晶体的源极与汲极。

主权项

1、一种有机电激发光的非晶硅薄膜电晶体的制造方法，它包括如下步骤：于玻璃基板上制作闸极；于玻璃基板上制作第一隔离层，且同时覆盖闸极；于第一隔离层上依序制作非晶硅层及重掺杂非晶硅层以定义出薄膜电晶体的主动区域；于第一隔离层制作金属层，且覆盖重掺杂非晶硅层；于金属层上表面制作第二阻障层；于第二阻障层上制作光阻层，光阻层具有位于闸极的正上方的窗口；蚀刻去除窗口内的第二阻障层、金属层及重掺杂非晶硅层；其特征在于所述的蚀刻去除窗口内的第二阻障层、金属层及重掺杂非晶硅层为：干蚀刻去除窗口内的第二阻障层；湿蚀刻依序去除位于窗口内的金属层；干蚀刻去除窗口内裸露的重掺杂非晶硅层，以形成薄膜电晶体的源极与汲极。