相变化记忆体及其制造方法

摘要

一种相变化记忆体，其包括，下电极、介电层、加热电极、导体间隙壁、相变化材料层以及上电极。其中，下电极配置在基底上。介电层配置于下电极上。加热电极配置于介电层中，且加热电极的底部与下电极相接触，且加热电极的顶部表面高于介电层的顶部表面。另外，导体间隙壁配置于加热电极的侧壁，且位于介电层上，其中导体间隙壁的电阻值高于加热电极的电阻值。相变化材料层配置于介电层上，且覆盖导体间隙壁与加热电极。上电极配置在相变化材料层上。