| 发明名称 | 一种制备氧化亚铜纳米柱阵列的方法 | ||
| 摘要 | 一种制备氧化亚铜纳米柱阵列的方法，属于纳米材料制备技术领域。工艺步骤为：将Cu片分别在盐酸和丙酮中清洗10～15min，用去离子水冲洗干净后再用吸耳球将Cu片吹干；将清洗后的Cu片放置在水平管式炉中，通入3～5ml/min的空气；将管式炉以8～10℃/min的速度升温至335～345℃，保温120～150min后自然冷却，获得所需的产物。优点在于，不需要复杂的真空系统，只需在有微弱气流的空气中加热Cu衬底即可获得Cu<SUB>2</SUB>O纳米柱阵列。采用的方法简单易行，成本很低，是一种环保的制备方法。 | ||
| 申请公布号 | CN101074108A | 申请公布日期 | 2007.11.21 |
| 申请号 | CN200710118801.8 | 申请日期 | 2007.08.14 |
| 申请人 | 北京科技大学 | 发明人 | 常永勤;王际;张寅虎 |
| 分类号 | C01G3/02(2006.01);B82B3/00(2006.01) | 主分类号 | C01G3/02(2006.01) |
| 代理机构 | 北京科大华谊专利代理事务所 | 代理人 | 刘月娥 |
| 主权项 | 1、一种制备氧化亚铜纳米柱阵列的方法，其特征在于，工艺步骤为：(1)将Cu片分别在盐酸和丙酮中清洗10～15min，用去离子水冲洗干净后再用吸耳球将Cu片吹干；(2)将清洗后的Cu片放置在水平管式炉中，通入3～5ml/min的空气；(3)将管式炉以8～10℃/min的速度升温至335～345℃，保温120～150min后自然冷却，获得所需的产物。 | ||
| 地址 | 100083北京市海淀区学院路30号 | ||