发明名称 以掺杂矽之氧化钽为主的一维奈米材料及其制作方法
摘要 本发明提供一种以掺杂矽之氧化钽为主的一维奈米材料,包含:一具有下列化学式(I)并呈斜方晶系之管本体:Ta2-xSixO5....................................(I)其中,0≦x≦1。另,本发明亦提供一种以掺杂矽之氧化钽为主的一维奈米材料之制作方法,包含下列步骤:(a)于一减压环境中提供复数氧化矽奈米线体及一固态钽源;及(b)对该减压环境施予热处理以分别在该等氧化矽奈米线体上形成一具有前述化学式(I)并呈斜方晶系的管本体。
申请公布号 TW200742776 申请公布日期 2007.11.16
申请号 TW095116047 申请日期 2006.05.05
申请人 国立清华大学;恒杰光电科技股份有限公司 台北市内湖区基湖路10巷52号7楼 发明人 周立人;阙郁伦;曾恒伦
分类号 C30B29/22(2006.01) 主分类号 C30B29/22(2006.01)
代理机构 代理人 恽轶群;陈文郎
主权项
地址 新竹市光复路2段101号
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