制备半导体基板的方法

摘要

本发明提供制备氮化镓系半导体基板的方法，其步骤是先自磊晶基板向上形成复数间隔散布之凸块，然后以横向磊晶方式自复数凸块端部形成连接该复数凸块端部并与磊晶基板、复数凸块墩部共同界定出空间的基础层，接着累积增厚而成所需的半导体基板，最后破坏该复数凸块墩部即可分离制得半导体基板，由于本发明藉由复数凸块形成具有孔洞结构的层体来制造半导体基板，因此可以避免磊晶基板的晶格缺陷延伸而获得高品质的半导体基板，同时可降低分离磊晶基板时的制程成本并增加整体制程良率。