| 发明名称 | 利用微晶硅膜作为浮置闸以促进快闪式存储器性能的方法 | ||
| 摘要 | 本发明主要是在硅烷形成多晶硅的时候加入氢气，使得形成的多晶硅为微晶格。将这种微晶格的多晶硅应用在快闪存储器中的浮置闸，可以改善快闪存储器的元件特性。 | ||
| 申请公布号 | CN100349283C | 申请公布日期 | 2007.11.14 |
| 申请号 | CN02140568.9 | 申请日期 | 2002.07.03 |
| 申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 韓宗廷;蘇金逹;楊雲祺 |
| 分类号 | H01L21/82(2006.01);H01L21/205(2006.01) | 主分类号 | H01L21/82(2006.01) |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 任永武 |
| 主权项 | 1.一种利用微晶硅膜作为浮置闸促进快闪式存储器性能的方法，其特征在于，包括：提供一底材；以及利用硅烷并同时导入氢气，以沉积形成一微晶硅膜于该底材上；在该微晶硅层上形成一内多晶介电层；以及在该内多晶介电层上形成一多晶硅层，该多晶硅层通过该内多晶介电层与该微晶硅膜隔离。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学工业园区新竹市力行路16号 | ||