发明名称 |
用于干涉式调制器的过程控制监视器 |
摘要 |
本发明揭示使用用于制造MEMS装置108的相同过程步骤中的至少某些过程步骤生产的过程控制监视器100、102和104。过程控制监视器100、102和104的分析可提供有关MEMS装置108和所述装置中组件或子组件的性质的信息。此信息可用于识别处理中的错误或优化所述MEMS装置108。在某些实施例中,所述过程控制监视器100、102和104的分析可利用光学测量值。 |
申请公布号 |
CN101071061A |
申请公布日期 |
2007.11.14 |
申请号 |
CN200710108672.4 |
申请日期 |
2005.09.16 |
申请人 |
IDC公司 |
发明人 |
威廉·J·卡明斯;布莱恩·J·加利 |
分类号 |
G01B11/06(2006.01);B81C5/00(2006.01);B81C1/00(2006.01) |
主分类号 |
G01B11/06(2006.01) |
代理机构 |
北京律盟知识产权代理有限责任公司 |
代理人 |
王允方;刘国伟 |
主权项 |
1.一种测量在制造微机电系统(MEMS)期间沉积的层的厚度的方法,其包括:形成测试单元,所述测试单元包括连续沉积在彼此上方的两个或两个以上层,其中所述层是使用用于在制造所述MEMS期间形成所述层的方法形成的,其中所述层经图案化以使得至少两个台阶形成于所述结构的轮廓中;和通过将表面光度计扫过所述结构来测量所述台阶的高度。 |
地址 |
美国加利福尼亚州 |