制备非晶氢硅薄膜的方法及装置

摘要

本发明公开了制备非晶氢硅薄膜的方法及装置，将清冼后的基板置于反应室两块上下平行的电极间，反应室抽真空，以纯氮气为载气，通入氢气稀释的硅烷反应气体，基板在室温或加热至50～100℃，开启高压脉冲电源，气体放电沉积薄膜。本发明实现了非晶氢硅薄膜在多种传统基板或低熔点基板上于常温或50～100℃低温快速沉积，非晶氢硅薄膜的最大沉积速率可达20nm/min，比常规的PECVD非晶硅薄膜沉积速率提高约两倍。所制备的非晶氢硅薄膜的禁带宽度1.92～2.18eV，光、暗电导比大于两个数量级，有望在太阳能电池、建筑节能玻璃等领域获得应用。

主权项

1.制备非晶氢硅薄膜的方法，其特征是步骤如下：将清冼后的基板置于反应室中，反应室抽真空到至少10-3Pa，以纯氮气为载气，通入氢气稀释的体积浓度为20～50％的硅烷反应气体，反应室压强为100～1000Pa，基板在室温或加热至50～100℃，开启高压脉冲电源，调整电压5～20KV，频率5～20KHz，脉冲上升沿20kV/μS，脉冲宽度2μS，气体放电沉积薄膜。