面积效率闸控二极体及其制造方法

摘要

一种面积效率闸控二极体包含：一第一导电型半导体层；一第二导电型主动区域，形成于半导体层内且邻近半导体层之一上表面；至少一沟槽电极，实质上垂直延伸过主动区域，且至少部分地延伸入半导体层。闸控二极体之一第一端与沟槽电极电连接，及至少一第二端与主动区域电连接。因应施加于第一端与第二端间之电压，闸控二极体具有至少一第一模式与一第二模式。第一模式之特征在于在半导体层内产生实质上围绕该沟槽电极之一反转层。闸控二极体在第一模式时具有第一电容，而在第二模式时具有第二电容，第一电容实质上大于第二电容。