| 摘要 |
揭露一种微调矽化物应力的结构与方法，特别是研发一拉伸矽化物区域于n型场效应电晶体的闸极导体上，以最佳化n型场效应电晶体之效能。更特别的是，一第一金属层-保护帽盖层-第二金属层堆叠，形成于n型场效应电晶体结构上。然而，于沉积第二金属层之前，暴露保护层于空气中。此空气暂休(Air Break)步骤改变保护帽盖层与第二金属层间的附着力，因此于形成矽化物时，会影响施予第一金属层之应力。此结果形成对n型场效应电晶体而言最佳的更拉伸矽化物。此外，本方法允许利用相当薄的第一金属层-防护帽盖层-第二金属层堆叠，形成如此的拉伸矽化物区域，且特别是，相当薄的第二金属层，以最小化建立于闸极导体与侧壁间隙壁间的接面之机械能能量，以避免矽桥接。 |
