| 主权项 |
1.一种改善一高选择性研磨浆料(high selectivity slurry, HSS)之化学机械研磨(chemical mechanical polish, CMP)制程之研磨效果之方法,该方法包含有: 提供一研磨垫(polishing pad)以及一晶圆载具(head),该 晶圆载具上装载有一晶圆; 提供一高选择性研磨浆料于该研磨垫上,并提供一 晶圆载具下压力(head down force)于该晶圆载具,以使 该晶圆接触该研磨垫而进行一化学机械研磨制程, 其中该研磨垫以及该晶圆载具系分别具有一研磨 垫转速以及一晶圆载具转速;以及 提供去离子水(deionized water)于该研磨垫上,并利用 去离子水持续进行该研磨制程。 2.如申请专利范围第1项之方法,其中该方法包含有 在提供去离子水于该研磨垫之前,先停止对该研磨 垫提供该高选择性研磨浆料。 3.如申请专利范围第1项之方法,其中在提供去离子 水于该研磨垫时,该高选择性研磨浆料系持续提供 于该研磨垫。 4.如申请专利范围第1项之方法,其中在提供去离子 水于该研磨垫时,该研磨垫转速以及该晶圆载具转 速系维持不变。 5.如申请专利范围第1项之方法,其中在提供去离子 水于该研磨垫时,该晶圆载具下压力系维持不变。 6.如申请专利范围第1项之方法,其中在提供去离子 水于该研磨垫时,同时减小该晶圆载具下压力。 7.如申请专利范围第1项之方法,其中在提供去离子 水后,该研磨制程系持续进行5~60秒后停止。 8.如申请专利范围第1项之方法,其中该高选择性研 磨浆料系为一含铈(ceric-base)浆料或一含锆(zirconic- base)浆料。 9.如申请专利范围第5项之方法,其中该高选择性研 磨浆料系为一包含有二氧化铈(ceria, CeO2)或二氧化 锆(zirconia, ZrO2)之浆料。 10.如申请专利范围第1项之方法,其中该化学机械 研磨制程系应用于一浅沟绝缘(shallow trench isolation , STI)制程。 11.一种改善一高选择性研磨浆料化学机械研磨制 程之研磨效果之方法,该方法包含有: 利用一第一研磨垫以及一晶圆载具,对一晶圆进行 一第一化学机械研磨制程,且在该第一化学机械研 磨制程中通入一第一高选择性研磨浆料; 于该第一化学机械研磨制程之后段通入去离子水 以稀释该第一高选择性研磨浆料; 停止该第一CMP制程; 利用一第二研磨垫对该晶圆进行一第二化学机械 研磨制程,且在该第二化学机械研磨制程中通入一 第二高选择性研磨浆料;以及 于该第二化学机械研磨制程之后段提供去离子水 以稀释该第二高选择性研磨浆料。 12.如申请专利范围第11项之方法,其中在以去离子 水稀释该第一高选择性研磨浆料时,系停止通入该 第一高选择性研磨浆料。 13.如申请专利范围第11项之方法,其中在以去离子 水稀释该第一高选择性研磨浆料时,系持续通入该 第一高选择性研磨浆料。 14.如申请专利范围第11项之方法,其中在以去离子 水稀释该第二高选择性研磨浆料时,系停止通入该 第二高选择性研磨浆料。 15.如申请专利范围第11项之方法,其中在以去离子 水稀释该第二高选择性研磨浆料时,系持续通入该 第二高选择性研磨浆料。 16.如申请专利范围第11项之方法,其中在提供去离 子水进行该第一或该第二化学机械研磨制程时,该 第一研磨垫转速或该第二研磨垫转速,以及该晶圆 载具转速系维持不变。 17.如申请专利范围第11项之方法,其中在提供去离 子水于该第一研磨垫或该第二研磨垫时,该晶圆载 具之下压力系维持不变。 18.如申请专利范围第11项之方法,其中在提供去离 子水于该第一研磨垫或该第二研磨垫时,同时减小 该晶圆载具之下压力。 19.如申请专利范围第11项之方法,其中在提供去离 子水后,该第一CMP制程或该第二CMP制程系持续进行 5~60秒后停止。 20.如申请专利范围第11项之方法,其中该第一以及 该第二高选择性研磨浆料系为一含铈浆料或一含 锆浆料。 21.如申请专利范围第20项之方法,其中该高选择性 研磨浆料系为一包含有二氧化铈(CeO2)或二氧化锆( ZrO2)之浆料。 22.如申请专利范围第11项之方法,其中该化学机械 研磨制程系应用于一浅沟绝缘制程。 图式简单说明: 第1图至第3图为习知一浅沟绝缘的制程示意图。 第4图显示习知使用高选择性研磨浆料进行STI CMP 制程之研磨速度对研磨时间的曲线。 第5图至第9图为本发明改善一高选择性研磨浆料 CMP制程研磨效果之方法的制程示意图。 第10图为本发明方法之二氧化矽层移除量对加入 去离子水后之研磨时间的曲线图。 第11图为氮化矽层移除量对加入去离子水后之研 磨时间的曲线图。 |
