| 发明名称 | 一种制备纳米材料的真空管式设备 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种制备纳米材料的真空管式设备，它包括密封的真空室(2)，所述真空室(2)设置在炉体(1)内，真空室(2)内气流下游处设置有衬底(7)，其特征是：该真空室(2)连接有至少一个能控制和调节源材料蒸发速率的源材料蒸发器(16)。本发明采用控制源组分通量技术，可实现组分的精确控制、梯度掺杂和衬底的原位操作等功能；全系统由计算机控制，因此自动化程度高、控制精度高、数据的准确性强；该设备还具有设备简单、结构紧凑、操作简便、使用费用低等、生产效率高、节约能源优点。 | ||
| 申请公布号 | CN101063226A | 申请公布日期 | 2007.10.31 |
| 申请号 | CN200710017879.0 | 申请日期 | 2007.05.18 |
| 申请人 | 西安建筑科技大学 | 发明人 | 王发展;原思聪 |
| 分类号 | C30B25/02(2006.01);C30B29/22(2006.01) | 主分类号 | C30B25/02(2006.01) |
| 代理机构 | 西安西达专利代理有限责任公司 | 代理人 | 第五思军 |
| 主权项 | 1、一种制备纳米材料的真空管式设备，它包括密封的真空室(2)，所述真空室(2)设置在炉体(1)内，所述真空室(2)设有用于输送源材料蒸气的载气(11)和用于与源材料蒸气反应的载气(12)，真空室(2)内气流下游处设置有衬底(7)，其特征是：该真空室(2)连接有至少一个能控制和调节源材料蒸发速率的源材料蒸发器(16)。 | ||
| 地址 | 710055陕西省西安市雁塔路13号 | ||