| 发明名称 | 硬掩模层与半导体元件的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种硬掩模层的制造方法，包括：于基底上形成一层掩模层；于掩模层上形成一层图案化光致抗蚀剂层；图案化光致抗蚀剂层具有多个开口，且这些开口暴露部分掩模层；之后，移除部分掩模层，以暴露开口底部的部分基底；进行第一氧等离子体处理工艺，以增加掩模层的抗蚀刻性；之后，进行第二氧等离子体处理工艺，以移除残留的图案化光致抗蚀剂层。 | ||
| 申请公布号 | CN101064245A | 申请公布日期 | 2007.10.31 |
| 申请号 | CN200610074881.7 | 申请日期 | 2006.04.25 |
| 申请人 | 力晶半导体股份有限公司 | 发明人 | 陈志铭;陈英村;黄德浩;邱达燕;刘庆冀 |
| 分类号 | H01L21/033(2006.01);H01L21/308(2006.01);H01L21/3213(2006.01);G03F7/42(2006.01) | 主分类号 | H01L21/033(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯宇 |
| 主权项 | 1、一种硬掩模层的制造方法，包括：于基底上形成掩模层；于该掩模层上形成图案化光致抗蚀剂层，该图案化光致抗蚀剂层具有多个开口，该些开口暴露部分该掩模层；移除部分该掩模层，以暴露该些开口下方的部分该基底；进行第一氧等离子体处理工艺，以移除部分该图案化光致抗蚀剂层，并增加该掩模层的抗蚀刻性；以及进行第二氧等离子体处理工艺，以移除残留的该图案化光致抗蚀剂层。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹市 | ||