| 发明名称 | 一种平坦化有源驱动TFT矩阵结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种平坦化有源驱动TFT矩阵结构，包括：基板、栅线、栅电极及栅绝缘层，其特征在于：所述的栅线和栅电极被栅绝缘层包覆在基板上，栅绝缘层上表面呈水平状，半导体层、源漏电极及像素电极均形成在栅绝缘层上。本发明同时还公开了制造该平坦化有源驱动TFT矩阵结构的方法。本发明形成的平坦化栅绝缘层表面，非常有利于后续有源层、源漏金属层、钝化层和像素电极层的沉积，减少了各种金属线断线的发生。同时，平坦化的栅绝缘层表面可减少栅绝缘层内应力的形成，有利于成品率的提高。 | ||
| 申请公布号 | CN101064316A | 申请公布日期 | 2007.10.31 |
| 申请号 | CN200610076552.6 | 申请日期 | 2006.04.30 |
| 申请人 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发明人 | 王章涛;邱海军;陈旭;闵泰烨;林承武 |
| 分类号 | H01L27/12(2006.01);H01L21/84(2006.01) | 主分类号 | H01L27/12(2006.01) |
| 代理机构 | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 | 代理人 | 马晶晶 |
| 主权项 | 1、一种平坦化有源驱动TFT矩阵结构，包括：基板、栅线、栅电极及栅绝缘层，其特征在于：所述栅线和栅电极被栅绝缘层包覆在基板上，栅绝缘层上表面呈水平状，半导体层、源漏电极及像素电极均形成在栅绝缘层上。 | ||
| 地址 | 100016北京市朝阳区酒仙桥路10号 | ||