发明名称 |
灰阶掩模用坯料、以及采用该坯料的灰阶掩模以及该坯料的制造方法 |
摘要 |
本发明的灰阶掩模用坯料,具有直接或者间接附着在透明基板的表面上形成的遮光膜以及半透光膜,遮光膜以及半透光膜的金属成分的组成不同,而且,半透光膜由Ni或者以Ni作为主成分、含有除去Cr、Mo的金属成分的薄膜构成。另外,本发明的灰阶掩模的制造方法,包括下述工序:按照作为第一刻蚀液的Cr刻蚀液(硝酸铈铵+高氯酸系)、然后作为第二刻蚀液的ITO刻蚀液(HCl+FeCl<SUB>3</SUB>)或者FeCl<SUB>3</SUB>溶液的顺序,利用两种刻蚀液刻蚀遮光膜以及半透光膜,形成掩模开口部,然后使用只能选择性地湿刻蚀遮光膜的Cr刻蚀液的一种液体,进行半刻蚀,形成半透光部。 |
申请公布号 |
CN101061430A |
申请公布日期 |
2007.10.24 |
申请号 |
CN200680001224.8 |
申请日期 |
2006.07.14 |
申请人 |
爱发科成膜株式会社 |
发明人 |
山田文彦;尾崎俊治;佐佐木贵英 |
分类号 |
G03F1/08(2006.01);G02F1/136(2006.01) |
主分类号 |
G03F1/08(2006.01) |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 |
代理人 |
王健 |
主权项 |
1.灰阶掩模用坯料,具有包括遮光部、开口部、和半透光部的图形,其特征在于,具有直接或者间接附着在透明基板的表面上形成的遮光膜以及半透光膜,遮光膜以及半透光膜的金属成分的组成不同,半透光膜由含有Ni或者以Ni作为主成分、除去Cr、Mo的金属成分的薄膜制成。 |
地址 |
日本埼玉县 |