| 发明名称 | 磁性石榴石单晶及使用其的光学元件和单晶的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及通过液相外延(LPE)法生长的磁性石榴石单晶及使用该磁性石榴石单晶的光学元件及单晶的制造方法，其目的在于提供降低了铅含量的磁性石榴石单晶及使用该磁性石榴石单晶的光学元件及单晶的制造方法。本发明涉及一种通过液相外延生长法生长得到的用化学式Bi<SUB>x</SUB>Na<SUB>y</SUB>Pb<SUB>z</SUB>M1<SUB>3－x－y－z</SUB>Fe<SUB>5－w</SUB>M2<SUB>w</SUB>O<SUB>12</SUB>表示的磁性石榴石单晶(式中的M1表示从Y、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu中选出的至少1种以上元素，M2表示从Ga、Al、In、Ti、Ge、Si、Pt中选出的至少1种以上元素，0.5＜x≤2.0、0＜y≤0.8、0≤z＜0.01、0.19≤3－x－y－z＜2.5、0≤w≤1.6)。 | ||
| 申请公布号 | CN101061263A | 申请公布日期 | 2007.10.24 |
| 申请号 | CN200580039676.0 | 申请日期 | 2005.11.17 |
| 申请人 | TDK株式会社 | 发明人 | 大井户敦 |
| 分类号 | C30B29/28(2006.01);C30B19/00(2006.01);G02F1/09(2006.01) | 主分类号 | C30B29/28(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 孙秀武;李平英 |
| 主权项 | 1.一种磁性石榴石单晶，其特征为，该磁性石榴石单晶是通过液相外延生长法生长得到的，用化学式BixNayPbzM13-x-y-zFe5-wM2wO12表示，式中的M1表示从Y、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu中选出的至少1种以上元素，M2表示从Ga、Al、In、Ti、Ge、Si、Pt中选出的至少1种以上元素，0.5＜x≤2.0、0＜y≤0.8、0≤z＜0.01、0.19≤3-x-y-z＜2.5、0≤w≤1.6。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||