| 发明名称 | 含有二极管的掩模式只读存储器及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种含有二极管的掩模式只读存储器及其制造方法。该含有二极管的掩模式只读存储器包括：一半导体基底；一绝缘层，位于该半导体基底上；在第一方向设置的多条第一导线，位于该绝缘层上；由不同导电型的两个多晶硅层所构成的多个垂直式PN二极管，位于该第一导线上；多个介电层，位于部分二极管上，二极管上有介电层的定义为逻辑“0”，而二极管上没有介电层者定义为逻辑“1”；以及依第二方向设置的多条第二导线，位于该介电层和该二极管上，该第一和第二方向为垂直。本发明是利用二极管上是否有介电层来定义逻辑“0”逻辑“1”，且可堆叠多层二极管层，而形成高密度的三度空间数组。 | ||
| 申请公布号 | CN100345299C | 申请公布日期 | 2007.10.24 |
| 申请号 | CN02152773.3 | 申请日期 | 2002.11.27 |
| 申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 赖昇志;龙翔澜;陈逸舟 |
| 分类号 | H01L27/102(2006.01);H01L21/8229(2006.01) | 主分类号 | H01L27/102(2006.01) |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 楼仙英;陈红 |
| 主权项 | 1.一种含有二极管的掩模式只读存储器，其包括：一半导体基底；一绝缘层，位于该半导体基底上；在第一方向设置的多条第一导线，位于该绝缘层上；由不同导电型的两个多晶硅层所构成的多个垂直式PN二极管，位于该第一导线上；多个介电层，位于部分二极管上，二极管上有介电层的定义为逻辑“0”，而二极管上没有介电层者定义为逻辑“1”；以及依第二方向设置的多条第二导线，位于该介电层和该二极管上，该第一和第二方向为垂直。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹 | ||