发明名称 | 积体电路结构及其制造方法 | ||
摘要 | 一种积体电路结构,此结构包括基底、接触窗与萧特基接触金属层。基底上已形成有重掺杂区与轻掺杂区。接触窗设置于重掺杂区上,而萧特基接触金属层则设置于轻掺杂区上,与基底构成萧特基二极体。其中,接触窗的材质与萧特基接触金属层的材质不同。 | ||
申请公布号 | TW200739762 | 申请公布日期 | 2007.10.16 |
申请号 | TW095112820 | 申请日期 | 2006.04.11 |
申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 郑朝华 |
分类号 | H01L21/60(2006.01) | 主分类号 | H01L21/60(2006.01) |
代理机构 | 代理人 | 詹铭文;萧锡清 | |
主权项 | |||
地址 | 新竹市新竹科学工业园区力行二路3号 |