| 主权项 |
1.一种避免两矽层之间产生剥离的方法,包括下列 步骤: 提供具有第一矽材料的一第一层; 形成具有金属矽化材料的一黏着层于该第一层上; 以及 形成具有第二矽材料的一第二层于该黏着层上。 2.如申请专利范围第1项所述之避免两矽层之间产 生剥离的方法,其中该第一矽材料系非晶矽或结晶 矽。 3.如申请专利范围第1项所述之避免两矽层之间产 生剥离的方法,其中该第二矽材料系非晶矽或结晶 矽。 4.如申请专利范围第1项所述之避免两矽层之间产 生剥离的方法,其中该金属矽化材料系WSix或MoSix或 TiSix或CoSix。 5.如申请专利范围第1项所述之避免两矽层之间产 生剥离的方法,更包括对该第一层进行钝气溅镀清 洗制程。 6.一种形成微机械结构的方法,包括下列步骤: 提供至少一微机械结构层于一基板上方,该微机械 结构层系由具有一下牺牲矽层与一上牺牲矽层所 支撑着,其中该等上、下牺牲矽层之间形成有一金 属矽化层;以及 去除该上牺牲矽层与该下牺牲矽层; 其中,该金属矽化层增加该上牺牲矽层与该下牺牲 矽层之间的界面附着力。 7.如申请专利范围第6项所述之形成微机械结构的 方法,其中该下牺牲矽层系非晶矽或结晶矽层。 8.如申请专利范围第6项所述之形成微机械结构的 方法,其中该上牺牲矽层系非晶矽或结晶矽层。 9.如申请专利范围第6项所述之形成微机械结构的 方法,其中该金属矽化层系WSix或MoSix或TiSix或CoSix 层。 10.如申请专利范围第6项所述之形成微机械结构的 方法,其中该上牺牲矽层、该金属矽化层以及该下 牺牲矽层系藉由XeF2蚀刻机台来去除。 11一种形成微机械结构的方法,该微机械结构系微 镜结构,其方法包括下列步骤: 形成一第一牺牲矽层于一基底上; 形成一镜面板于部分该第一牺牲矽层上; 至少形成一金属矽化层于未被该镜面板覆盖之该 第一牺牲矽层上; 形成一第二牺牲矽层覆盖该镜面板与该金属矽化 层; 形成至少一孔洞穿越该第二牺牲矽层、该镜面板 与该第一牺牲矽层; 将一导体材料填入该孔洞中而定义出该镜面板的 支撑结构,该支撑结构系附着于该镜面板与该基底 ;以及 除去该第二牺牲矽层、该金属矽化层与该第二牺 牲矽层而放开该镜面板。 12.如申请专利范围第11项所述之形成微机械结构 的方法,其中该第一牺牲矽层系非晶矽或结晶矽层 。 13.如申请专利范围第11项所述之形成微机械结构 的方法,其中该第二牺牲矽层系非晶矽或结晶矽层 。 14.如申请专利范围第11项所述之形成微机械结构 的方法,其中该金属矽化层系WSix或MoSix或TiSix或 CoSix层。 15.如申请专利范围第11项所述之形成微机械结构 的方法,其中该上牺牲矽层、该金属矽化层以及该 下牺牲矽层系藉由XeF2蚀刻机台来去除。 16.如申请专利范围第11项所述之形成微机械结构 的方法,其中该镜面板系一OMO(氧化层-金属层-氧化 层)层。 17.如申请专利范围第11项所述之形成微机械结构 的方法,其中该导体材料系钨或钼或钛或钽。 18.一种形成微机械结构的方法,该微机械结构系微 镜结构,其方法包括下列步骤: 形成一第一牺牲矽层于一基底上; 形成一镜面板于部分该第一牺牲矽层上; 至少形成一金属矽化层于未被该镜面板覆盖之该 第一牺牲矽层上; 形成一第二牺牲矽层覆盖该镜面板与该金属矽化 层; 部分蚀刻该第二牺牲矽层、该金属矽化层与该第 一牺牲矽层而形成一开口露出部分该镜面板以及 至少一孔洞露出部分该基底; 将一导体材料填入该开口与该孔洞中而定义出该 镜面板的支撑结构,该支撑结构系附着于该镜面板 与该基底;以及 除去该第二牺牲矽层、该金属矽化层与该第一牺 牲矽层而放开该镜面板。 19.如申请专利范围第18项所述之形成微机械结构 的方法,其中该第一牺牲矽层系非晶矽或结晶矽层 。 20.如申请专利范围第18项所述之形成微机械结构 的方法,其中该第二牺牲矽层系非晶矽或结晶矽层 。 21.如申请专利范围第18项所述之形成微机械结构 的方法,其中该金属矽化层系WSix或MoSix或TiSix或 CoSix层。 22.如申请专利范围第18项所述之形成微机械结构 的方法,其中该上牺牲矽层、该金属矽化层以及该 下牺牲矽层系藉由XeF2蚀刻机台来去除。 图式简单说明: 第1A、1B图系显示习知之部分MEMS制程剖面图; 第2A~2F图系显示根据本发明第一方法之MEMS制程剖 面图; 第3A~3F图系显示根据本发明第一方法的变化例之 MEMS制程剖面图;以及 第4A~4F图系显示根据本发明第二方法之MEMS制程的 立体示意图。 |
