具有改良的漏极触点的沟槽双扩散金属氧化半导体器件

摘要

一种沟槽DMOS晶体管器件，其包括：(a)第一导电类型的衬底；(b)衬底上的第一导电类型的外延层，其中，该外延层比衬底具有较低的多数载流子浓度；(c)沟槽，其从外延层的上表面延伸到外延层中；(d)绝缘层，其衬于沟槽的至少一部分里；(e)邻近绝缘层的沟槽内的导电区域；(f)第二导电类型的主体区域，其设置在外延层的上部和邻近的沟槽内；(g)在主体区域的上部和邻近的沟槽内的第一导电类型的源极区域；以及(h)一个或更多低电阻率纵深区域，其由外延层的上部表面延伸到器件中。该低电阻率纵深区域用作为提供与衬底的电接触，其是器件的公共漏极区域。通过以这个方式构建沟槽DMOS晶体管，可在器件的单一表面设置所有源极、漏极和栅极触点。

主权项

1、一种沟槽DMOS晶体管器件，其包括：第一导电类型的衬底，所述衬底用作为所述器件的公共漏极区域；在所述衬底上的所述第一导电类型的外延层，所述外延层比所述衬底具有较低的多数载流子浓度；从所述外延层上部表面延伸到所述外延层的沟槽；衬于所述沟槽的至少一部分的绝缘层；邻近所述绝缘层的所述沟槽内的导电区域；设置在所述外延层的上面部分和邻近的所述沟槽内的第二导电类型的主体区域；在所述主体区域的上面部分和邻近的所述沟槽内的所述第一导电类型的源极区域；从所述外延层的上表面延伸到所述器件的低电阻率纵深区域，所述低电阻率纵深区域用作为与所述衬底提供电接触，以及邻近所述纵深区域的上表面的金属性漏极触点、邻近所述源极区域的上表面的金属性源极触点，以及邻近所述导电区域的上表面的金属性栅极触点，所述导电区域处于远离所述源极区域的终止区域中。