发明名称 | 无凸点半导体器件 | ||
摘要 | 本发明的课题是一种无凸点半导体器件,系通过将导电粒子4与在周围设置了钝化膜3的半导体器件的电极焊区2进行金属键合而进行连接,它谋求抑制短路、减少连接成本、抑制向连接部的应力集中、以及减少附加于IC芯片1及电路基板5的损伤,能用倒装芯片方式以高可靠性且以低成本连接IC芯片1与电路基板5。使用在树脂粒子的表面上形成了金属镀层的复合粒子作为导电粒子4。该无凸点半导体器件可通过(a)使导电粒子4以静电方式吸附于平板的一面上,(b)将该平板的导电粒子吸附面重叠在半导体器件的电极焊区面上,进行超声压焊,使导电粒子4与电极焊区2进行金属键合,从该平板复制到电极焊区2上而制造。 | ||
申请公布号 | CN100342513C | 申请公布日期 | 2007.10.10 |
申请号 | CN02808464.0 | 申请日期 | 2002.02.18 |
申请人 | 索尼化学&信息部件株式会社 | 发明人 | 山田幸男;中村雅之;菱沼启之 |
分类号 | H01L21/60(2006.01) | 主分类号 | H01L21/60(2006.01) |
代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 刘宗杰;叶恺东 |
主权项 | 1.一种无凸点半导体器件的制造方法,其特征在于,具有以下的工序(a)和(b):(a)使导电粒子以静电方式吸附于平板的一面上的工序;以及(b)在表面上设置电极焊区、并且在电极焊区的周围设置钝化膜的无凸点半导体器件的电极焊区面上,将该平板的导电粒子吸附面重叠并进行超声压焊,据此使导电粒子与电极焊区进行金属键合,并从该平板转移到电极焊区上的工序。 | ||
地址 | 日本东京都 |