| 发明名称 | 低介电常数膜的损伤修复方法、半导体制造装置、存储介质 | ||
| 摘要 | 在叠层有例如SiOCH膜的绝缘膜的基板中，对由等离子体进行蚀刻和灰化而脱离了C元素的损伤层进行修复，该绝缘膜由含有硅、碳、氧和氢的低介电常数膜构成。使C<SUB>8</SUB>H<SUB>18</SUB>O<SUB>2</SUB>气体热分解，其结构式为(CH<SUB>3</SUB>)<SUB>3</SUB>COOC(CH<SUB>3</SUB>)<SUB>3</SUB>，生成CH<SUB>3</SUB>自由基，对该SiOCH膜供给CH<SUB>3</SUB>自由基，使CH<SUB>3</SUB>基与脱离了C元素的损伤层结合。 | ||
| 申请公布号 | CN101047126A | 申请公布日期 | 2007.10.03 |
| 申请号 | CN200710091524.6 | 申请日期 | 2007.03.27 |
| 申请人 | 东京毅力科创株式会社;国立大学法人名古屋大学 | 发明人 | 堀胜;久保田和宏 |
| 分类号 | H01L21/3105(2006.01);H01L21/311(2006.01);H01L21/768(2006.01) | 主分类号 | H01L21/3105(2006.01) |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 龙淳 |
| 主权项 | 1.一种低介电常数膜的损伤修复方法，其特征在于，包括：向CH3自由基生成用气体供给能量，生成CH3自由基的工序；和向含有硅、碳、氧和氢且具有脱离了碳的损伤层的低介电常数膜供给CH3自由基，使CH3与所述损伤层结合的修复工序。 | ||
| 地址 | 日本国东京都 | ||