发明名称 一种大功率发光二极管的封装方法
摘要 本发明涉及一种大功率发光二极管的封装方法,其包括如下步骤:A.在碗形支架的内层中底部镀上导电优良的金属层;B.将发光晶片的底部与碗形支架内层底部的金属层通过共晶键合(Eutectic Bonding)的方式压焊结合;C.将晶片的正负极通过金线与基板的正负极相连接;D.填充胶水封装并烘干。由于采用了共晶键合的方式使晶片与金属镀层进行连接并融为一体,使发光二极管的结构接触良好,相比于采用银胶结构的发光二极管而言重点解决了散热性差的难题,从而增加了大功率发光二极管的发光效率和使用寿命。
申请公布号 CN101047214A 申请公布日期 2007.10.03
申请号 CN200610034670.0 申请日期 2006.03.30
申请人 廖海 发明人 廖海
分类号 H01L33/00(2006.01);H01L21/60(2006.01);H01L21/56(2006.01) 主分类号 H01L33/00(2006.01)
代理机构 代理人
主权项 1、一种大功率发光二极管的封装方法,其特征在于包括如下步骤:A、在碗形支架的内层中底部镀上导电优良的金属层;B、将发光晶片的底部与碗形支架内层底部的金属层通过共晶键合(Eutectic Bonding)的方式压焊结合;C、将晶片的正负极通过金线与基板的正负极相连接;D、填充胶水封装并烘干。
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