| 发明名称 | 磁存储装置及其驱动方法 | ||
| 摘要 | 一种磁存储装置，其包括磁阻效应元件(54)和写电流施加电路。其中该磁阻效应元件(54)包括：磁性层(42)，其具有沿第一方向钉扎的磁化；非磁性层(50)，其形成在该磁性层(42)上；以及磁性层(52)，其形成在该非磁性层(50)上，并具有沿所述第一方向磁化的第一磁畴，以及沿与所述第一方向相反的第二方向磁化的第二磁畴。该写电流施加电路使写电流沿所述第一方向或所述第二方向流动，以使该第一磁畴与该第二磁畴之间的磁畴壁移动，并控制该磁性层(52)的、与磁性层(42)相对的一部分的磁化方向。 | ||
| 申请公布号 | CN101047023A | 申请公布日期 | 2007.10.03 |
| 申请号 | CN200610103118.2 | 申请日期 | 2006.07.04 |
| 申请人 | 富士通株式会社 | 发明人 | 落合隆夫;梅原慎二郎;芦田裕;佐藤雅重;小林和雄 |
| 分类号 | G11C11/15(2006.01);H01L43/08(2006.01);H01L27/22(2006.01) | 主分类号 | G11C11/15(2006.01) |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 张龙哺 |
| 主权项 | 1.一种磁存储装置，包括：磁阻效应元件，其包括：第一磁性层，其具有沿第一方向钉扎的磁化；非磁性层，其形成在该第一磁性层上；以及第二磁性层，其形成在该非磁性层上，并具有沿所述第一方向磁化的第一磁畴，以及设置为与该第一磁畴沿所述第一方向相邻、并沿与所述第一方向相反的第二方向磁化的第二磁畴，以及写电流施加电路，其使写电流沿所述第一方向或所述第二方向流至该第二磁性层，以使该第一磁畴与该第二磁畴之间的磁畴壁移动，并控制该第二磁性层的、与该第一磁性层相对的一部分的磁化方向。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县川崎市 | ||