用以制造一包括有一矽分流层之非挥发性记忆元件之方法

摘要

一种氮化物唯读记忆体，其包括一选择性生长之磊晶分流矽层(分流层)，其降低了位元线片电阻，并增加了位元线迁移性。此分流层可藉由一高温原位P掺杂沈积而生成。一不包括自然氧化物并具有优秀电子迁移性之位元线介面，可藉由本发明之选择性磊晶生长方法而达成。