发明名称 |
水平电场型薄膜晶体管基板及使其中缺陷像素变暗的方法 |
摘要 |
一种使薄膜晶体管基板中包括源极和漏极之间短路的有缺陷像素变暗的方法包括:在基板上形成栅线和数据线以限定像素区;在栅线和数据线的交叉点处形成具有栅极、源极和漏极的薄膜晶体管;在像素区中形成像素电极和公共电极;形成与栅线平行设置并连接到公共电极的公共线;形成与栅线平行的漏极的延伸部分;以及沿切割线切割延伸部分。 |
申请公布号 |
CN100335961C |
申请公布日期 |
2007.09.05 |
申请号 |
CN200410100985.1 |
申请日期 |
2004.12.30 |
申请人 |
LG.菲利浦LCD株式会社 |
发明人 |
李在凤 |
分类号 |
G02F1/136(2006.01);H01L29/786(2006.01);G02F1/133(2006.01) |
主分类号 |
G02F1/136(2006.01) |
代理机构 |
北京律诚同业知识产权代理有限公司 |
代理人 |
徐金国;祁建国 |
主权项 |
1.一种使薄膜晶体管基板中包括源极和漏极之间短路的有缺陷像素变暗的方法,该方法包括:在基板上形成栅线和数据线以限定像素区;在所述栅线和数据线的交叉处形成具有栅极、源极和漏极的薄膜晶体管;在所述像素区中形成像素电极和公共电极;形成与所述栅线平行设置并连接到所述公共电极的公共线;形成与所述栅线平行的漏极的延伸部分;以及沿切割线切割所述延伸部分,其中所述切割线包括源自起始点的第一倾斜部分、沿与所述栅线基本平行的方向通过所述漏极延伸部分的第二部分以及终止于终点的第三倾斜部分。 |
地址 |
韩国首尔 |