| 发明名称 | EEPROM | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种具有非易失性存储器单元的EEPROM。该非易失性存储单元具有第一MOS晶体管(10)和第二MOS晶体管(20)。该第一MOS晶体管(10)和第二MOS晶体管(20)具有共用栅电极(30)，并且该栅电极(30)是与周围电路电气隔离的浮置栅电极。该第一MOS晶体管(10)和第二MOS晶体管(20)具有相同的导电类型。 | ||
| 申请公布号 | CN101030581A | 申请公布日期 | 2007.09.05 |
| 申请号 | CN200610163013.6 | 申请日期 | 2006.11.28 |
| 申请人 | 恩益禧电子股份有限公司 | 发明人 | 田中浩治 |
| 分类号 | H01L27/115(2006.01) | 主分类号 | H01L27/115(2006.01) |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 关兆辉;陆锦华 |
| 主权项 | 1.一种具有非易失性存储器单元的EEPROM，所述非易失性存储器单元包括：第一MOS晶体管；以及第二MOS晶体管，其中所述第一MOS晶体管和所述第二MOS晶体管具有共用的浮置栅电极，且所述第一MOS晶体管和所述第二MOS晶体管具有相同的导电类型。 | ||
| 地址 | 日本神奈川 | ||