氮化物半导体发光装置制造方法

摘要

本发明提供了一种具有高的光发射输出同时可以减小正向电压(Vf)的氮化物半导体发光装置制造方法。本发明涉及一种氮化物半导体发光装置制造方法，该氮化物半导体发光装置包括至少n型氮化物半导体、p型氮化物半导体、以及形成于n型氮化物半导体和p型氮化物半导体之间的有源层(4)；其中所述n型氮化物半导体包括至少n型接触层(3)和n侧GaN层(101)，n侧GaN层(101)由单个或多个非掺杂和/或n型层组成，且该方法包括步骤：使用含氮气的气体作为载气通过金属有机物化学气相沉积形成n侧GaN层(101)，使得n侧GaN层(101)形成于n型接触层(3)和有源层(4)之间。

主权项

1.一种氮化物半导体发光装置制造方法，所述氮化物半导体发光装置包括至少n型氮化物半导体、p型氮化物半导体、以及形成于所述n型氮化物半导体和所述p型氮化物半导体之间的有源层；其中所述n型氮化物半导体包括至少n型接触层和n侧GaN层；以及所述n侧GaN层由单个或多个非掺杂和/或n型层组成；所述方法包括步骤：使用含氮气的气体作为载气通过金属有机物化学气相沉积形成所述n侧GaN层，使得所述n侧GaN层形成于所述n型接触层和所述有源层之间。